2022-04-28 08:23:28  来源：今日健康网  作者：  分享：

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　　李文彬课题组全面系统深入阐释了Bi2O2Se高电子迁移率的起源，并且提出了通过应变诱导初始铁电相变来获得半导体材料高电子迁移率的新路径，对发展新型基于相变和介电性能调控的高迁移率半导体材料具有重要的指导意义。

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